Pagina afdrukken
NTMFS011N15MC
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 78 A, 9000 µohm, PQFN, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
5.797 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | 7,630 € |
| 50+ | 7,020 € |
| 100+ | 6,810 € |
| 250+ | 6,670 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
81,30 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNTMFS011N15MC
Ordercode3528504RL
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id78A
Drain Source On State Resistance9000µohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.35V
Power Dissipation Pd147W
Power Dissipation147W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
NTMFS011N15MC is a single N-channel, power MOSFET. Typical applications are synchronous rectification, AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB PD) SR, load switch.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Drain-to-source breakdown voltage is 150V
- Gate-to-source voltage is ±20V
- Continuous drain current is 10.7A at TA = 25°C
- Power dissipation is 2.7W at TA = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
- PQFN8 package
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
147W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.35V
Power Dissipation
147W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0034
Producttraceerbaarheid