Pagina afdrukken
RFP50N06
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
47 Op Voorraad
800 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,860 € |
| 10+ | 1,190 € |
| 100+ | 1,020 € |
| 500+ | 0,963 € |
| 1000+ | 0,957 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,86 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantRFP50N06
Ordercode9845771
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation131W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The RFP50N06 is a 60V N-channel power MOSFET using MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The MOSFET is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. This transistor can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rated curve
- 175°C Rated junction temperature
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
131W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor RFP50N06
5 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001814
Producttraceerbaarheid