Pagina afdrukken
BD179G.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Niet langer geproduceerd
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantBD179G.
Ordercode9557059
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation30W
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min3hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatieven voor BD179G.
1 product gevonden
Productoverzicht
The BD179G is a 80V NPN medium-power silicon Bipolar Transistor designed for use in 5 to 10W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
- Complementary with BD180
Toepassingen
Industrial, Power Management, Audio
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-225AA
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
3hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
30W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (4)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000454
Producttraceerbaarheid