Pagina afdrukken
FDC6327C
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDC6327C
Ordercode9844856
ProductreeksPowerTrench Series
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 0,991 € |
| 50+ | 0,734 € |
| 100+ | 0,502 € |
| 500+ | 0,403 € |
| 1500+ | 0,357 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
4,96 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDC6327C
Ordercode9844856
ProductreeksPowerTrench Series
Technische datasheet
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.7A
Continuous Drain Current Id P Channel1.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.08ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.08ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000049
Producttraceerbaarheid