Pagina afdrukken
NTB7D3N15MC
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 101 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNTB7D3N15MC
Ordercode3787292RL
ProductreeksPowerTrench
Technische datasheet
850 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,540 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
176,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNTB7D3N15MC
Ordercode3787292RL
ProductreeksPowerTrench
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance6000µohm
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation166W
Power Dissipation Pd166W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
150V, 101A N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET is typically used in synchronous rectification for ATX / server / telecom PSU, motor drives, uninterruptible power supplies and micro solar inverters.
- Shielded gate MOSFET technology, optimized switching performance
- Max RDS(on) = 7.3mohm at VGS = 10V, ID = 62A
- Industry’s lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- High efficiency with lower switching spike and EMI
- Lowers switching noise/EMI, improved switching FOM particularly Qgd
- 100% UIL tested
- No need or less snubber
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
6000µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
166W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
101A
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
166W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001
Producttraceerbaarheid