Pagina afdrukken
NTMC083NP10M5L
Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
11.637 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,487 € |
| 500+ | 0,404 € |
| 1000+ | 0,367 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
53,70 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNTMC083NP10M5L
Ordercode3787297RL
Technische datasheet
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id4.1A
Continuous Drain Current Id N Channel4.1A
Continuous Drain Current Id P Channel4.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0594ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0594ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
Power, dual N- and P-channel (100V, 83mohm, 4.5A, -100V, 131ohm, -3.6A) MOSFET is typically used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material handling, motor drive and home automation applications.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Not ESD protected
- Low conduction loss, standard footprint
Technische specificaties
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
4.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0594ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0594ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001
Producttraceerbaarheid