Pagina afdrukken
NVMYS1D3N04CTWG
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
5.307 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,670 € |
| 500+ | 1,660 € |
| 1000+ | 1,650 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
172,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVMYS1D3N04CTWG
Ordercode2981244RL
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id252A
Drain Source On State Resistance0.00115ohm
On Resistance Rds(on)960µohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation134W
Power Dissipation Pd134W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Productoverzicht
- Single N-channel power MOSFET
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- 40V minimum drain to source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250A)
- 100nA maximum gate to source leakage current (VDS = 0V, VGS = 20V)
- 2.5 to 3.5V gate threshold voltage range (VGS = VDS, ID = 180µA)
- 15ns typical turn on delay time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- 22ns typical rise time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- LFPAK4 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.00115ohm
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
134W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
252A
On Resistance Rds(on)
960µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
134W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001361