Pagina afdrukken
TP65H100G4LSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
3.000 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 3,280 € |
| 500+ | 2,900 € |
| 1000+ | 2,520 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
333,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantRENESAS
Artikelnr. fabrikantTP65H100G4LSGB-TR
Ordercode4680951RL
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18.9A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Typical Gate Charge14.4nC
No. of Pins8Pins
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
18.9A
Typical Gate Charge
14.4nC
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid