Pagina afdrukken
SKM100GB125DN
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 205,400 € |
| 5+ | 190,580 € |
| 10+ | 173,170 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
205,40 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSEMIKRON
Artikelnr. fabrikantSKM100GB125DN
Ordercode2423681
Technische datasheet
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Collector Current100A
DC Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Productoverzicht
The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.
- Low inductance
- Short tail current with low temperature dependence
- High short circuit capability
- Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
- Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)
Toepassingen
Power Management, Industrial
Waarschuwingen
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device however ESD packaging is not necessary. Due to technical requirements, component may contain dangerous substances.
Technische specificaties
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Technische documenten (1)
Aanverwante producten
4 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Italy
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Italy
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.18
Producttraceerbaarheid