Pagina afdrukken
GD75HFU120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Niet langer geproduceerd
Productgegevens
FabrikantSTARPOWER
Artikelnr. fabrikantGD75HFU120C1S
Ordercode3912066
Technische datasheet
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current150A
DC Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.1V
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation658W
Power Dissipation Pd658W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Alternatieven voor GD75HFU120C1S
1 product gevonden
Technische specificaties
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Power Dissipation Pd
658W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.1V
Power Dissipation
658W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.15