Pagina afdrukken
STD13NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTD13NM60ND
Ordercode3129734RL
ProductreeksFDmesh II
Technische datasheet
3.384 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,760 € |
| 500+ | 1,620 € |
| 1000+ | 1,590 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
181,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTD13NM60ND
Ordercode3129734RL
ProductreeksFDmesh II
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation109W
Power Dissipation Pd109W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
109W
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
109W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor STD13NM60ND
6 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00035
Producttraceerbaarheid