Pagina afdrukken
STD150N3LLH6
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTD150N3LLH6
Ordercode3367017
ProductreeksSTripFET VI DeepGATE
Technische datasheet
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTD150N3LLH6
Ordercode3367017
ProductreeksSTripFET VI DeepGATE
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET VI DeepGATE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00035
Producttraceerbaarheid