Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
14 Op Voorraad
2.500 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 3,670 € |
10+ | 2,410 € |
100+ | 1,710 € |
500+ | 1,510 € |
1000+ | 1,440 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
3,67 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTD18N55M5
Ordercode2098164
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STD18N55M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology with PowerMESH™ horizontal layout structure. The device has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Higher VDSS rating
- High dV/dt capability
- Excellent switching performance
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Toepassingen
Power Management, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor STD18N55M5
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000467
Producttraceerbaarheid