Pagina afdrukken
STF10NM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220FP, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
453 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 3,540 € |
| 10+ | 2,690 € |
| 100+ | 1,830 € |
| 500+ | 1,760 € |
| 1000+ | 1,400 € |
| 5000+ | 1,350 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
3,54 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTF10NM60N
Ordercode2098196
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.53ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Productoverzicht
STF10NM60N is a N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is Therefore, suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- 600V drain-source breakdown voltage
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 550 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 10A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.53ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor STF10NM60N
4 gevonden producten
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.007257
Producttraceerbaarheid