Pagina afdrukken
STF5NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.75 A, 2.7 ohm, TO-220FP, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
146 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 4,320 € |
| 10+ | 2,260 € |
| 100+ | 2,060 € |
| 500+ | 1,900 € |
| 1000+ | 1,890 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
4,32 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTF5NK100Z
Ordercode1752090
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id1.75A
Drain Source On State Resistance2.7ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage30V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STF5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.75A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
30V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
2.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002722
Producttraceerbaarheid