Pagina afdrukken
STH3N150-2
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTH3N150-2
Ordercode2629758RL
ProductreeksPowerMESH
Technische datasheet
41.834 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 2,540 € |
| 500+ | 2,280 € |
| 1000+ | 2,140 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
259,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTH3N150-2
Ordercode2629758RL
ProductreeksPowerMESH
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerMESH
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
- 1500V, 2.5A N-channel PowerMESH™ power MOSFET in 3 pin H2PAK-2 package
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Designed using company’s consolidated strip layout-based MESHOVERLAY™ process
- Suitable for switching applications
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerMESH
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001623
Producttraceerbaarheid