Pagina afdrukken
STP120NF10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP120NF10
Ordercode1611428
ProductreeksSTP
Technische datasheet
957 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 4,540 € |
| 10+ | 2,910 € |
| 100+ | 2,140 € |
| 500+ | 2,070 € |
| 1000+ | 2,060 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
4,54 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP120NF10
Ordercode1611428
ProductreeksSTP
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation312W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STP120NF10 is a N-channel Power MOSFET, STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize the on-resistance. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.
- Exceptional dv/dt Capability
- 100% Avalanche Tested
- Application Oriented Characterization
Toepassingen
Audio, Signal Processing
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
312W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002717