Pagina afdrukken
STP20NM50
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP20NM50
Ordercode1653679
ProductreeksSTP
Technische datasheet
6.683 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 5,120 € |
| 10+ | 5,030 € |
| 100+ | 2,630 € |
| 500+ | 2,440 € |
| 1000+ | 2,390 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
5,12 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP20NM50
Ordercode1653679
ProductreeksSTP
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation192W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STP20NM50 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics and dynamic performances.
- High dV/dt and avalanche capabilities
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
Toepassingen
Power Management, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002041