Pagina afdrukken
STP20NM60FP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
495 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 7,150 € |
| 10+ | 4,070 € |
| 100+ | 3,880 € |
| 500+ | 3,350 € |
| 1000+ | 3,340 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
7,15 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP20NM60FP
Ordercode9935584
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage30V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STP20NM60FP is an N-channel MDmesh™ Power MOSFET has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Toepassingen
Industrial
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
30V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor STP20NM60FP
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid