Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
850 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | 1,350 € |
10+ | 0,736 € |
100+ | 0,726 € |
500+ | 0,615 € |
1000+ | 0,570 € |
5000+ | 0,559 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,35 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP55NF06
Ordercode9803211
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STP55NF06 is a 60V N-channel Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Exceptional dv/dt capability
Toepassingen
Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor STP55NF06
4 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002722
Producttraceerbaarheid