Pagina afdrukken
STW13NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTW13NK100Z
Ordercode1468006
ProductreeksSTW
Technische datasheet
1.836 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 8,420 € |
| 5+ | 7,210 € |
| 10+ | 5,990 € |
| 50+ | 5,870 € |
| 100+ | 5,750 € |
| 250+ | 5,630 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
8,42 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTW13NK100Z
Ordercode1468006
ProductreeksSTW
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation350W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Productoverzicht
The STW13NK100Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very good manufacturing repeatability
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Nee
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.004309
Producttraceerbaarheid