Pagina afdrukken
STW45NM50
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 45 A, 0.1 ohm, TO-247, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
1.879 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 13,200 € |
| 5+ | 10,220 € |
| 10+ | 7,240 € |
| 50+ | 7,070 € |
| 100+ | 6,900 € |
| 250+ | 6,760 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
13,20 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTW45NM50
Ordercode1291995
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation417W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STW45NM50 is a 550V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Toepassingen
Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
417W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
3 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00443