Pagina afdrukken
STW88N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
1.519 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 9,180 € |
| 5+ | 9,120 € |
| 10+ | 9,050 € |
| 50+ | 8,990 € |
| 100+ | 8,920 € |
| 250+ | 8,860 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
9,18 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTW88N65M5
Ordercode2341735
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id84A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation450W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STW88N65M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Worldwide best RDS (ON)
- Higher VDSS rating
- Higher dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% avalanche tested
Toepassingen
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
450W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor STW88N65M5
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.006732
Producttraceerbaarheid