Pagina afdrukken
VNN1NV04PTR-E
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
3.526 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,050 € |
| 10+ | 0,754 € |
| 50+ | 0,681 € |
| 200+ | 0,601 € |
| 500+ | 0,540 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,05 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantVNN1NV04PTR-E
Ordercode2341720
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation7W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Toepassingen
Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
7W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000342
Producttraceerbaarheid