Pagina afdrukken
VNS1NV04DPTR-E
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
19.466 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,350 € |
| 10+ | 1,000 € |
| 100+ | 0,820 € |
| 500+ | 0,797 € |
| 1000+ | 0,774 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,35 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantVNS1NV04DPTR-E
Ordercode2341721
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The VNS1NV04DPTR-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Toepassingen
Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
4W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000319