Pagina afdrukken
TSM1NB60CP ROG
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1 A, 8 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantTSM1NB60CP ROG
Ordercode2345414RL
Technische datasheet
4.637 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,590 € |
| 500+ | 0,572 € |
| 1000+ | 0,554 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
64,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantTSM1NB60CP ROG
Ordercode2345414RL
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Productoverzicht
The TSM1NB60CP is a 600V N-channel Power MOSFET with single configuration, which features low gate charge. It is suitable for power supply and charger applications.
- Advanced planar process
- 100% Avalanche tested
- Low RDS (ON)
- Low CRSS
Toepassingen
Industrial, Power Management, Lighting
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001996
Producttraceerbaarheid