Pagina afdrukken
SSM3K123TU,LF(T
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikantSSM3K123TU,LF(T
Ordercode3872279RL
Ook bekend alsSSM3K123TU ,SSM3K123TU,LF
Technische datasheet
5.165 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,218 € |
| 500+ | 0,165 € |
| 1000+ | 0,130 € |
| 5000+ | 0,102 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
26,80 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikantSSM3K123TU,LF(T
Ordercode3872279RL
Ook bekend alsSSM3K123TU ,SSM3K123TU,LF
Technische datasheet
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation800mW
Power Dissipation Pd800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Technische specificaties
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
800mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000454
Producttraceerbaarheid