Pagina afdrukken
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikantSSM3K16FU(TE85L,F)
Ordercode1714382
Ook bekend alsSSM3K16FU ,SSM3K16FU(TE85L
Technische datasheet
3.620 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
Hoeveelheid | |
---|---|
5+ | 0,876 € |
50+ | 0,570 € |
100+ | 0,359 € |
500+ | 0,285 € |
1500+ | 0,249 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
4,38 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikantSSM3K16FU(TE85L,F)
Ordercode1714382
Ook bekend alsSSM3K16FU ,SSM3K16FU(TE85L
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation150mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The SSM3K16FU(TE85L,F) is a N-channel enhancement-mode Silicon MOSFET suitable for high speed switching and analogue switch applications.
- Suitable for high-density mounting due to compact package
- Low ON-resistance
- 150°C Operating temperature
Toepassingen
Industrial, Power Management
Waarschuwingen
Using continuously under heavy loads may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions are within the absolute maximum ratings.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000008