Pagina afdrukken
SSM6N57NU,LF(T
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikantSSM6N57NU,LF(T
Ordercode3872306RL
Ook bekend alsSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
Technische datasheet
45 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,238 € |
| 500+ | 0,196 € |
| 1000+ | 0,176 € |
| 5000+ | 0,126 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
28,80 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantTOSHIBA
Artikelnr. fabrikantSSM6N57NU,LF(T
Ordercode3872306RL
Ook bekend alsSSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.03ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.03ohm
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.03ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.03ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid