Pagina afdrukken
OPB706A
Reflective Photo Interrupter, OPB706 Series, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 20 mA, 2 Vr
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Artikelnr. fabrikantOPB706A
Ordercode1497904
Technische datasheet
459 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 2,170 € |
| 10+ | 2,130 € |
| 25+ | 2,080 € |
| 50+ | 2,040 € |
| 100+ | 2,000 € |
| 500+ | 1,950 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
2,17 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Artikelnr. fabrikantOPB706A
Ordercode1497904
Technische datasheet
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width1.27mm
Sensing Distance1.27mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If20mA
Reverse Voltage Vr2V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo24V
Collector Current IC Max25mA
Forward Voltage1.7V
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The OPB706A is a Reflective Object Sensor consist of an infrared light emitting diode (LED) and an NPN silicon phototransistor mounted "side-by-side" on parallel axes in a black plastic housing. The LED and phototransistor is moulded using dark infrared transmissive plastic to reduce ambient light noise. The phototransistor responds to light from the emitter when a reflective object passes within its field of view of the device.
- 935nm LED peak wavelength
- 0.05" Reflection distance
- Unfocused for sensing diffuse surface
- 75mW Power dissipation
- -40 to 85°C Operating temperature range
Toepassingen
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Safety
Technische specificaties
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
2V
Collector Emitter Voltage Max
30V
Collector Current IC Max
25mA
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
1.27mm
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
20mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
24V
Forward Voltage
1.7V
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001361
Producttraceerbaarheid