Pagina afdrukken
IRFBG20PBF
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.3 A, 11 ohm, TO-220AB, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
8.729 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,150 € |
| 10+ | 1,060 € |
| 100+ | 0,935 € |
| 500+ | 0,819 € |
| 1000+ | 0,720 € |
| 5000+ | 0,644 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,15 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantIRFBG20PBF
Ordercode8648891
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source On State Resistance11ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The IRFBG20PBF is a 1000V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. This third generation Power MOSFET from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low ON-resistance. The package is universally preferred at power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal contribute to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid