Pagina afdrukken
SI2393DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI2393DS-T1-GE3
Ordercode3263506RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV
Technische datasheet
24.237 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,224 € |
| 500+ | 0,185 € |
| 1500+ | 0,154 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
27,40 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI2393DS-T1-GE3
Ordercode3263506RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV
Technische datasheet
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.0227ohm
On Resistance Rds(on)0.0189ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation2.5W
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
Productoverzicht
- TrenchFET® Gen IV P channel power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Technische specificaties
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0227ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
On Resistance Rds(on)
0.0189ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SI2393DS-T1-GE3
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.004
Producttraceerbaarheid