Pagina afdrukken
SI3585CDV-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
10.898 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,311 € |
| 500+ | 0,237 € |
| 1500+ | 0,214 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
36,10 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI3585CDV-T1-GE3
Ordercode2454805RL
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.048ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
3.9A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.048ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Israel
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Israel
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000054
Producttraceerbaarheid