Pagina afdrukken
SI3585DV-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 2 A, 2 A, 0.1 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Niet langer geproduceerd
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI3585DV-T1-E3
Ordercode2335298
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2A
Continuous Drain Current Id P Channel2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.1ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatieven voor SI3585DV-T1-E3
1 product gevonden
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001