Pagina afdrukken
SI4288DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
19.247 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | 1,890 € |
| 50+ | 1,200 € |
| 100+ | 0,810 € |
| 500+ | 0,642 € |
| 1000+ | 0,597 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
9,45 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI4288DY-T1-GE3
Ordercode2056718
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel9.2A
Continuous Drain Current Id P Channel9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0165ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The SI4288DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Toepassingen
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0165ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0165ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische documenten (3)
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000726
Producttraceerbaarheid