Pagina afdrukken
SI5513CDC-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI5513CDC-T1-GE3
Ordercode3772765RL
ProductreeksTrench Series
Technische datasheet
1.291 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,341 € |
| 500+ | 0,262 € |
| 1000+ | 0,236 € |
| 5000+ | 0,216 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
39,10 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI5513CDC-T1-GE3
Ordercode3772765RL
ProductreeksTrench Series
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.045ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.045ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid