Pagina afdrukken
SI7938DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 60 A, 0.0048 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
9.073 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,720 € |
| 10+ | 1,250 € |
| 100+ | 0,935 € |
| 500+ | 0,757 € |
| 1000+ | 0,716 € |
| 5000+ | 0,660 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,72 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI7938DP-T1-GE3
Ordercode1853789
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0048ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The SI7938DP-T1-GE3 is a 40V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Toepassingen
Power Management
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0048ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000411
Producttraceerbaarheid