Pagina afdrukken
SI9634DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI9634DY-T1-GE3
Ordercode4139039RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV Series
Technische datasheet
7.090 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,513 € |
| 500+ | 0,374 € |
| 1000+ | 0,333 € |
| 5000+ | 0,278 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
56,30 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI9634DY-T1-GE3
Ordercode4139039RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV Series
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000154