Pagina afdrukken
SI9933CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
14.508 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,397 € |
| 500+ | 0,306 € |
| 1000+ | 0,277 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
44,70 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI9933CDY-T1-GE3
Ordercode1779275RL
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The SI9933CDY-T1-GE3 is a -20V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Toepassingen
Power Management
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SI9933CDY-T1-GE3
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Israel
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Israel
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000134
Producttraceerbaarheid