Pagina afdrukken
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIHD3N50D-GE3
Ordercode2283607
ProductreeksD
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance3.2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation104W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
Alternatieven voor SIHD3N50D-GE3
3 gevonden producten
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000601
Producttraceerbaarheid