Pagina afdrukken
SIHG24N65E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Through Hole
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
2.538 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 5,290 € |
| 10+ | 3,960 € |
| 100+ | 2,750 € |
| 500+ | 2,220 € |
| 1000+ | 2,190 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
5,29 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIHG24N65E-GE3
Ordercode2364081
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.145ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The SIHG24N65E-GE3 is a 700V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
- Halogen-free
Toepassingen
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy, Motor Drive & Control
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.145ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SIHG24N65E-GE3
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Israel
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Israel
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.006
Producttraceerbaarheid