Pagina afdrukken
SIR580DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIR580DP-T1-RE3
Ordercode3765820
ProductreeksTrenchFET Gen V
Technische datasheet
563 Op Voorraad
6.000 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 2,090 € |
| 10+ | 1,500 € |
| 100+ | 1,110 € |
| 500+ | 0,891 € |
| 1000+ | 0,871 € |
| 5000+ | 0,732 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
2,09 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIR580DP-T1-RE3
Ordercode3765820
ProductreeksTrenchFET Gen V
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id146A
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
Productoverzicht
N-channel 80V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control and battery management.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
146A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SIR580DP-T1-RE3
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid