Pagina afdrukken
SIR610DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 35.4 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIR610DP-T1-RE3
Ordercode2747691RL
ProductreeksThunderFET
Technische datasheet
10.624 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,110 € |
| 500+ | 0,886 € |
| 1000+ | 0,868 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
116,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIR610DP-T1-RE3
Ordercode2747691RL
ProductreeksThunderFET
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id35.4A
Drain Source On State Resistance0.0239ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Productoverzicht
N-channel 200V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, synchronous rectification, LED lighting, power supplies and Class D amplifier.
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.4A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0239ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000178
Producttraceerbaarheid