Pagina afdrukken
SIS407DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
9.608 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,380 € |
| 10+ | 0,924 € |
| 100+ | 0,631 € |
| 500+ | 0,495 € |
| 1000+ | 0,451 € |
| 5000+ | 0,371 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,38 € (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIS407DN-T1-GE3
Ordercode1859001
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation33W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The SIS407DN-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SIS407DN-T1-GE3
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid