Pagina afdrukken
SISF06DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 0.00344 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSISF06DN-T1-GE3
Ordercode3462759
ProductreeksTrenchFET Gen IV Series
Technische datasheet
4.076 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 1,260 € |
| 10+ | 0,882 € |
| 100+ | 0,687 € |
| 500+ | 0,548 € |
| 1000+ | 0,475 € |
| 5000+ | 0,430 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
1,26 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSISF06DN-T1-GE3
Ordercode3462759
ProductreeksTrenchFET Gen IV Series
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel101A
Continuous Drain Current Id P Channel101A
Drain Source On State Resistance N Channel0.00344ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.00344ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-SCD
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel69.4W
Power Dissipation P Channel69.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
101A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.00344ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
69.4W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
101A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.00344ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-SCD
Power Dissipation N Channel
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SISF06DN-T1-GE3
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid