Pagina afdrukken
SIZF4412DT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 77.1 A, 0.0053 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
5.985 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 0,884 € |
| 500+ | 0,728 € |
| 1000+ | 0,658 € |
| 5000+ | 0,650 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
93,40 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIZF4412DT-T1-GE3
Ordercode4644747RL
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel77.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0053ohm
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel56.8W
Operating Temperature Max150°C
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0053ohm
Power Dissipation N Channel
56.8W
Continuous Drain Current Id N Channel
77.1A
No. of Pins
12Pins
Operating Temperature Max
150°C
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid