Pagina afdrukken
SIZF660LDT-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 V, 110 A, 0.0026 ohm
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,390 € |
| 1000+ | 1,260 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
176,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIZF660LDT-T1-GE3
Ordercode4644769RL
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel110A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0026ohm
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel62.5W
Operating Temperature Max150°C
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0026ohm
Power Dissipation N Channel
62.5W
Continuous Drain Current Id N Channel
110A
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid