Pagina afdrukken
TSHF6410
Infrared Emitter, High Speed, 890 nm, 22 °, T-1 3/4 (5mm), 30 mW/Sr, 30 ns, 30 ns
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
3.680 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering binnen 1-2 werkdagen
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 0,619 € |
| 10+ | 0,430 € |
| 25+ | 0,391 € |
| 50+ | 0,351 € |
| 100+ | 0,312 € |
| 500+ | 0,259 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
0,62 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantTSHF6410
Ordercode1779672
Technische datasheet
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity22°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Rise Time30ns
Fall Time tf30ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.4V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Productoverzicht
The TSHF6410 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK - coded, 450KHz or 1.3MHz).
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±22° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
30ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
22°
Radiant Intensity (Ie)
30mW/Sr
Fall Time tf
30ns
Forward Voltage VF Max
1.4V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor TSHF6410
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.010433
Producttraceerbaarheid