Pagina afdrukken
VEMD8080
Photo Diode, Silicon Pin, 65°, 0.2 nA, 850 nm, Top View SMD, 8 Pins, -40 °C to 85 °C
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
9.103 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | 1,100 € |
| 500+ | 1,020 € |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
115,00 € (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van 5,00 €
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantVEMD8080
Ordercode3588569RL
Technische datasheet
No. of Pins8Pins
Diode Case StyleSMD
Wavelength of Peak Sensitivity850nm
Angle of Half Sensitivity ±65°
Dark Current0.2nA
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Productoverzicht
VEMD8080 is a silicon PIN photodiode. This is a high speed and high sensitive PIN photodiode with enhanced sensitivity for visible light. It is a low profile surface-mount device (SMD) including the chip with a 4.5mm² sensitive area detecting visible and near infrared radiation. Application includes high speed photo detector, wearables.
- 0.48mm low profile package, enhanced sensitivity for visible light
- Suitable for visible and near infrared radiation, fast response times
- Surface-mount package type, top view package form
- Angle of half sensitivity is ±65deg (typ, Ta=25°C), forward voltage is 1.2V (typ, IF=50mA, Ta=25°C)
- Reverse dark current is 0.2nA (typ, VR = 10V, E = 0, Tamb = 25°C)
- Diode capacitance is 47pF (typ, VR = 0V, f = 1MHz, E = 0, Tamb = 25°C)
- Open circuit voltage is 320mV (typ, Ee = 1mW/cm², λ = 950nm, Tamb = 25°C)
- Rise time is 70ns (typ, VR = 10V, RL = 1Kohm, λ = 830nm, Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
Technische specificaties
No. of Pins
8Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
850nm
Dark Current
0.2nA
Operating Temperature Max
85°C
Automotive Qualification Standard
-
Diode Case Style
SMD
Angle of Half Sensitivity ±
65°
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.004536
Producttraceerbaarheid