Pagina afdrukken
VSMY2850G
Infrared Emitter, High Speed, 850 nm, 10 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
De afbeelding is alleen ter illustratie. Zie de productbeschrijving.
1.056 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel voor 17.00 uur
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van 0,00 € en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | 0,762 € |
| 10+ | 0,529 € |
| 25+ | 0,482 € |
| 50+ | 0,435 € |
| 100+ | 0,388 € |
| 500+ | 0,324 € |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
0,76 € (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantVSMY2850G
Ordercode1870812
Technische datasheet
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSLMSL 2A - 4 weeks
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Productoverzicht
The VSMY2850G is a 850nm SurfLight™ portfolio Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology. It is moulded in clear, untinted plastic package (with lens) for surface mounting (SMD). It is suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photointerrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels and IR illumination.
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- Very high radiant intensity
- ϕ = ±10° Angle of half sensitivity
- Suitable for high pulse current operation
- Gullwing terminal configuration
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
MSL 2A - 4 weeks
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002